半導(dǎo)體晶圓形貌厚度測量的意義與挑戰(zhàn)

半導(dǎo)體晶圓形貌厚度測量是半導(dǎo)體制造和研發(fā)過程中至關(guān)重要的一環(huán)。它不僅可以提供制造工藝的反饋和優(yōu)化依據(jù)，還可以保證半導(dǎo)體器件的性能和質(zhì)量。在這個領(lǐng)域里，測量的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性是關(guān)鍵。

半導(dǎo)體器件通常是由多層薄膜組成，每一層的厚度都對器件的功能和性能有著直接的影響。只有準(zhǔn)確測量每一層的厚度，才能保證半導(dǎo)體器件的性能符合設(shè)計要求。此外，形貌測量還可以提供制造工藝的反饋信息，幫助工程師優(yōu)化制造工藝，提高生產(chǎn)效率和器件可靠性。

然而，半導(dǎo)體晶圓形貌厚度測量的精度要求非常高。由于半導(dǎo)體器件的特殊性，每一層的厚度通常在納米級別，甚至更小。因此，測量設(shè)備和技術(shù)必須具備高精度和高分辨率的特點(diǎn)，才能滿足測量需求。而且測量的速度也是一個難題。由于半導(dǎo)體制造通常是大規(guī)模批量進(jìn)行的，因此，測量設(shè)備和技術(shù)必須能夠在短時間內(nèi)完成對多個晶圓的測量，否則將成為制造過程的瓶頸。

半導(dǎo)體晶圓形貌厚度測量還面臨著表面反射、多層結(jié)構(gòu)、透明層等特殊材料和結(jié)構(gòu)的干擾。這些干擾因素可能會導(dǎo)致測量結(jié)果的不準(zhǔn)確甚至錯誤。因此，需要開發(fā)出能夠針對不同材料和結(jié)構(gòu)進(jìn)行測量的算法和技術(shù)，以提高測量的準(zhǔn)確性和可靠性。

半導(dǎo)體晶圓形貌厚度測量設(shè)備有哪些？

為了解決上述挑戰(zhàn)，中圖儀器科研人員和工程師們不斷推動著半導(dǎo)體晶圓形貌厚度測量技術(shù)的發(fā)展。他們不斷改進(jìn)和創(chuàng)新測量設(shè)備，提高測量的精度和速度。同時，他們也不斷完善測量算法和技術(shù)，以應(yīng)對不同材料和結(jié)構(gòu)的測量需求。這些努力不僅有助于提高半導(dǎo)體器件的制造質(zhì)量和性能，還為半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展提供了有力支撐。

W1-pro 光學(xué)3D表面輪廓儀X/Y方向標(biāo)準(zhǔn)行程為200*200mm，可覆蓋8英寸及以下晶圓，定制版真空吸附盤，穩(wěn)定固定Wafer；氣浮隔振+殼體分離式設(shè)計，隔離地面震動與噪聲干擾。

臺階儀能夠測量樣品表面的2D形狀或翹曲，如在半導(dǎo)體晶圓制造過程中，因多層沉積層結(jié)構(gòu)中層間不匹配所產(chǎn)生的翹曲或形狀變化，或者類似透鏡在內(nèi)的結(jié)構(gòu)高度和曲率半徑。

測量晶圓

WD4000無圖晶圓幾何量測系統(tǒng)通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，其測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測量同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。

無圖晶圓厚度、翹曲度的測量

通過不斷的創(chuàng)新和技術(shù)進(jìn)步，中圖儀器將為半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展和進(jìn)步注入新的活力。